SputterGlow溅射沉积系统

系统的薄膜，溅射，薄膜沉积，物理气相沉积，真空镀膜，金属或绝缘薄膜沉积。 辉光研究SputterGlow的是一个灵活的设计处理200mm晶圆，156毫米x156毫米太阳能电池或更小的晶片，包括晶圆片溅射沉积系统。 在SputterGlow最多可以有三个可互换的过程站（每站可配置加热，溅射沉积或溅射刻蚀）。 最初设计的SputterGlow存入硅光伏电池3 N 4的抗反射涂层，可用于溅射存款广泛的电介质或金属。

光伏工程师们发现SputterGlow是一个很好的替代等离子体增强化学气相沉积（PECVD），，因为SputterGlow过程不需要氮化物沉积硅烷（SIH 4）。

随着巨大的成本节约，不需要昂贵的便利或安全的障碍，许多研究者认为，有较强的优势，最终的钝化/防反光涂层溅射膜，从而导致更高效率的光伏电池。 约翰Reche设计的SputterGlow。 请为约翰Reche的背景下，点击“关于我们”这个网站上。

灵活性

与三腔站，可用于各种加工需求SputterGlow。 个别站可以互换，用于加热，溅射或蚀刻的选择正确选择购买，或在日后改装。 在该SputterGlow是为研究或小批量生产应用的完美选择。

商会诚信/成本

真空测试

SputterGlow被设计，以确保过程的真空完整性和利用铝室（为了降低成本）。 总商会一直氦气泄漏测试，所有端 ​​口受阻为6.5×10 -10毫巴，（4.8×10 -10托）。

定制设计铝腔允许时相比，相同口径的不锈钢腔为3X降价的。 SputterGlow可以从一个25瓦的极低功耗（少积极处理），以更积极的为1千瓦溅射沉积。

定制设计铝腔允许时相比，相同口径的不锈钢腔为3X降价的。 商会是34“直径x 11”高。

专利设计

专有的平面磁控被用来产生等离子体。 在溅射靶材的寿命更长，改进基板上沉积均匀设计的结果。 专有的平面磁控辉光研究也将增强溅射速率和更低的发热量转移到基板。

PC计算机控制

手动或手提电脑控制

嵌入式微处理器控制晶圆运输系统，晶圆座的位置真空和天然气阀门打开，电机等，用户可控制的沉积过程中，从他们的个人笔记本电脑（不附带）下载配方。 嵌入式微处理器是通过USB接口连接到笔记本电脑。 用户可以根据自己的进程与发光研究专有的测序计划，或选择任何预设的过程中已被下载到自己的电脑。

电源供应器

可配置RF，直流或脉冲直流电源的SputterGlow。 可用于存放各种材料...电介质，半导体，金属和磁性材料的SputterGlow。 直流脉冲电源可以使用，而不是消除调谐网络的优势的RF供应。 直流电源，可以指定如果金属或磁性物质是被溅射只。